AM82731-012

更新时间： 2024-11-18 08:28:31

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描述
NPN RF POWER TRANSISTOR

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AM82731-012 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM82731-012 数据手册

AM82731-012

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 400 2L FLG

The AM82731-012 is a Common

Base Device Designed for Pulsed S-

Band Pulse output and driver Radar

Amplifier Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Input/Output Matching

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

2.0 A

46 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

50 W @ T_C≤ 50 °C

-65 °C to+250 °C

-65 °C to+200 °C

4.0 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR

2 & 4 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 7.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 40 V

V_CE= 5 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.5

0.5

---

h_FE

I_C= 600 mA

300

P_OUT

6.0

V_CC= 40 V

P_IN= 3.0 W

f = 2.7 to 3.1 GHz

η_C

P_G

Note: Pulse Width = 100 μS

Duty Cycle = 10%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV.

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