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AM82731-012

更新时间： 2024-11-04 22:35:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波雷达放大器局域网
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

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AM82731-012 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最小功率增益 (Gp)：	6 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM82731-012 数据手册

AM82731-012

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

S-BAND RADAR APPLICATIONS

PRELIMINARY DATA

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_OUT

12 W MIN. WITH 6.0 dB GAIN

.400 x .400 2LFL (S036)

hermetically sealed

ORDER CODE

AM82731-012

BRANDING

82731-12

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM82731-012 device is a high power silicon

bipolar NPN transistor specifically designed for S-

Band radar pulsed output and driver applications.

This device is capable of operaion over a wide

range of pulse widths, duty cycles, and tempera-

tures and can withstand a 3:1 output VSWR with

a + 1 dB input overdrive. Low RF thermal resist-

ance, refractory/gold metallization, and automatic

wire bonding techniques ensure high reliability and

product consistency (including phase charac-

teristics).

The AM82731-012 is supplied in the Hermetic Met-

al/Ceramic package with internal Input/Output im-

pedance matching sircuitry, and is intended for

military and other high reliability applications.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C)

case

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 50˚C)

I_C

V_CC

T_J

2.0

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

65 to +200

−

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

4.0

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/3

August 1992

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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