AM82731-050

更新时间： 2024-11-04 22:35:43

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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

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AM82731-050 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	8 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最小功率增益 (Gp)：	6 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM82731-050 数据手册

AM82731-050

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

S-BAND RADAR APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

RUGGEDIZED VSWR 3:1 @ 1 dB OVER-

DRIVE

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

.400 x .400 2LFL (S036)

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_{OUT =}50 W MIN. WITH 6 dB GAIN

hermetically sealed

ORDER CODE

AM82731-050

BRANDING

82731-50

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM82731-050 device is a high power silicon

bipolar NPN transistor specifically designed for S-

Band radar pulsed output and driver applications.

The device is capable of operation over a wde

range of pulse widths, duty cycles and tempera-

tures and can withstand a 3:1 output VSWR with

a +1 dB input overdrive. Low RF thermal resist-

ance, refractory/gold metallization, and compu-

terized automatic wire bonding techniques ensure

high reliability and product consistency.

The AM82731-050 is supplied in the AMPAC

Hermetic Metal/Ceramic package with internal

Input/Output impedance matching circuitry, and is

intended for military and other high reliability ap-

plications.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 50°C)

167

I_C

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

1.2

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

August 1992

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