AM82731-003

更新时间： 2024-11-20 08:28:31

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NPN RF POWER TRANSISTOR

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AM82731-003 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.9 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	23 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM82731-003 数据手册

AM82731-003

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 400 2NL FLG

The AM82731-003 is a Common

Base Device Designed for Pulsed S-

Band Radar Pulse Driver Applications.

MINIMUM

DIM

MAXIMUM

inches / mm

.020 / 0.51

.100 / 2.54

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.030 / 0.76

FEATURES INCLUDE:

.025 x 45°

4x .062 x 45°

2X B

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

ØD

• Input/Output Matching

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

.193 / 4.90

.450 / 11.43

.125 / 3.18

.640 / 16.26

.890 / 22.61

.395 / 10.03

.004 / 0.10

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.660 / 16.76

.910 / 23.11

.415 / 10.54

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

MAXIMUM RATINGS

0.9 A

34 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

23 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to+250 °C

-65 °C to+200 °C

6.5 °C/W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = BASE

3 = EMITTER

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C^{= 25 °C}

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 2.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 5 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.5

2.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_OUT

3.0

5.7

4.0

7.0

V_CE= 30 V

P_IN= 0.8 W

f = 2.7 to 3.1 GHz

η_C

P_G

Note: Pulse Width = 100 μS

Duty Cycle = 10%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV.

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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