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AM29LV081-100EI

更新时间： 2024-09-20 22:06:47

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超微 - AMD		/
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35页	414K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

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AM29LV081-100EI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SOP, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	最长访问时间：	100 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	16	端子数量：	40
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AM29LV081-100EI 数据手册

PRELIMINARY

Am29LV081

8 Megabit (1 M x 8-Bit)

CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Optimized architecture for Miniature Card and

■ Embedded Algorithms

mass storage applications

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Single power supply operation

— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write

operations for battery-powered applications

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and

write operations and for compatibility with high

performance 3.3 volt microprocessors

■ Typical 1,000,000 write cycles per sector

(100,000 cycles minimum guaranteed)

■ High performance

■ Package option

— Full voltage range: access times as fast as 100

— 40-pin TSOP

■ Compatibility with JEDEC standards

— Regulated voltage range: access times as fast

as 90 ns

— Pinout and software compatible with single-

power supply Flash

■ Ultra low power consumption (typical values at

— Superior inadvertent write protection

5 MHz)

■ Data# Polling and toggle bits

— 200 nA Automatic Sleep mode current

— 200 nA standby mode current

— 10 mA read current

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— 20 mA program/erase current

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— Sixteen 64 Kbyte sectors

— Supports full chip erase

— Sector Protection features:

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

A hardware method of locking a sector (using

programming equipment) to prevent any

program or erase operations within that sector

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

Publication# 20977 Rev: C Amendment/+1

Issue Date: March 1998

Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.

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