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AM29LV081-120FEB

更新时间： 2024-11-09 22:06:47

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	414K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

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AM29LV081-120FEB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	REVERSE, TSOP-40	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
最长访问时间：	120 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	16	端子数量：	40
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

AM29LV081-120FEB 数据手册

PRELIMINARY

Am29LV081

8 Megabit (1 M x 8-Bit)

CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Optimized architecture for Miniature Card and

■ Embedded Algorithms

mass storage applications

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Single power supply operation

— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write

operations for battery-powered applications

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and

write operations and for compatibility with high

performance 3.3 volt microprocessors

■ Typical 1,000,000 write cycles per sector

(100,000 cycles minimum guaranteed)

■ High performance

■ Package option

— Full voltage range: access times as fast as 100

— 40-pin TSOP

■ Compatibility with JEDEC standards

— Regulated voltage range: access times as fast

as 90 ns

— Pinout and software compatible with single-

power supply Flash

■ Ultra low power consumption (typical values at

— Superior inadvertent write protection

5 MHz)

■ Data# Polling and toggle bits

— 200 nA Automatic Sleep mode current

— 200 nA standby mode current

— 10 mA read current

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— 20 mA program/erase current

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— Sixteen 64 Kbyte sectors

— Supports full chip erase

— Sector Protection features:

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

A hardware method of locking a sector (using

programming equipment) to prevent any

program or erase operations within that sector

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

Publication# 20977 Rev: C Amendment/+1

Issue Date: March 1998

Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.

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