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AM29LV081-120EE

更新时间： 2024-09-20 22:06:47

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	414K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

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AM29LV081-120EE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	16
端子数量：	40	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

AM29LV081-120EE 数据手册

PRELIMINARY

Am29LV081

8 Megabit (1 M x 8-Bit)

CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Optimized architecture for Miniature Card and

■ Embedded Algorithms

mass storage applications

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Single power supply operation

— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write

operations for battery-powered applications

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and

write operations and for compatibility with high

performance 3.3 volt microprocessors

■ Typical 1,000,000 write cycles per sector

(100,000 cycles minimum guaranteed)

■ High performance

■ Package option

— Full voltage range: access times as fast as 100

— 40-pin TSOP

■ Compatibility with JEDEC standards

— Regulated voltage range: access times as fast

as 90 ns

— Pinout and software compatible with single-

power supply Flash

■ Ultra low power consumption (typical values at

— Superior inadvertent write protection

5 MHz)

■ Data# Polling and toggle bits

— 200 nA Automatic Sleep mode current

— 200 nA standby mode current

— 10 mA read current

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— 20 mA program/erase current

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— Sixteen 64 Kbyte sectors

— Supports full chip erase

— Sector Protection features:

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

A hardware method of locking a sector (using

programming equipment) to prevent any

program or erase operations within that sector

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

Publication# 20977 Rev: C Amendment/+1

Issue Date: March 1998

Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.

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