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AM29F040B-90JI

更新时间： 2024-11-04 05:26:31

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超微 - AMD		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	762K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-90JI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.19
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.556 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

AM29F040B-90JI 数据手册

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ 20-year data retention at 125°C

— Reliable operation for the life of the system

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— Superior inadvertent write protection

— Sector protection:

■ Data# Polling and toggle bits

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that sector

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: E Amendment/0

Issue Date: November 29, 2000

This Data Sheet states AMD’s current technical specifications regarding the Products described herein. This Data

Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications.

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AM29F040B-90JK	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-90JK	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32
AM29F040B-90JKB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AM29F040B-90PC	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-90PCB	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-90PD	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-90PDB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
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