是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.41 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.037 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F040B-90PIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90PK | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90PKB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
AM29F080 | ETC |
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Am29F080 - 8 Megabit (1.048.576 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory | |
AM29F080-120EC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120ECB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EE | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EEB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EI | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EIB | ETC |
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x8 Flash EEPROM |