是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.43 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | 1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 42.037 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.715 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F080 | ETC |
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Am29F080 - 8 Megabit (1.048.576 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory | |
AM29F080-120EC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120ECB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EE | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EEB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EI | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EIB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120FC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120FCB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120FE | ETC |
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x8 Flash EEPROM |