是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.42 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 90 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | 长度: | 42.037 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.715 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F040B-90PFB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
AM29F040B-90PI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90PIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90PK | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-90PKB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
AM29F080 | ETC |
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Am29F080 - 8 Megabit (1.048.576 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory | |
AM29F080-120EC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120ECB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29F080-120EEB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |