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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 42.037 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.715 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM29F040B-90PFB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| AM29F040B-90PI | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90PIB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90PK | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
|
| AM29F040B-90PKB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
|
| AM29F080 | ETC |
获取价格 |
Am29F080 - 8 Megabit (1.048.576 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory |
|
| AM29F080-120EC | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM29F080-120ECB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
|
| AM29F080-120EE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
|
| AM29F080-120EEB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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