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AM29F010-55JEB

更新时间： 2024-11-07 22:18:19

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超微 - AMD		内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F010-55JEB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QCCJ,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM CARD
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	座面最大高度：	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

AM29F010-55JEB 数据手册

FINAL

Am29F010

1 Megabit (128 K x 8-bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Embedded Algorithms

— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program

— Embedded Erase algorithm automatically

pre-programs and erases the chip or any

combination of designated sector

operations

— Simplifies system-level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

programs and verifies data at specified address

■ High performance

— 45 ns maximum access time

■ Minimum 100,000 program/erase cycles

■ Low power consumption

guaranteed

— 30 mA max active read current

— 50 mA max program/erase current

— <25 µA typical standby current

■ Package options

— 32-pin PLCC

— 32-pin TSOP

— 32-pin PDIP

■ Flexible sector architecture

— Eight uniform sectors

■ Compatible with JEDEC standards

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

■ Sector protection

— Superior inadvertent write protection

— Hardware-based feature that disables/re-

enables program and erase operations in any

combination of sectors

■ Data# Polling and Toggle Bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection/unprotection can be

implemented using standard PROM

programming equipment

Publication# 16736 Rev: G Amendment/+2

Issue Date: March 1998

12 3 4 5 6 7...31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM29F010-55PC	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PC5	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F010-55PC5B	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX8, 55ns, PDIP32
AM29F010-55PCB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE5	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F010-55PE5B	SPANSION	获取价格	EEPROM Card, 128KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDIP32, DIP-32
AM29F010-55PEB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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