Datasheet > AM29F010-70FEB

AM29F010-70FEB

更新时间： 2024-11-01 20:13:07

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	358K
描述
Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F010-70FEB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
反向引出线：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AM29F010-70FEB 数据手册

FINAL

Am29F010

1 Megabit (128 K x 8-bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Embedded Algorithms

— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program

— Embedded Erase algorithm automatically

pre-programs and erases the chip or any

combination of designated sector

operations

— Simplifies system-level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

programs and verifies data at specified address

■ High performance

— 45 ns maximum access time

■ Minimum 100,000 program/erase cycles

■ Low power consumption

guaranteed

— 30 mA max active read current

— 50 mA max program/erase current

— <25 µA typical standby current

■ Package options

— 32-pin PLCC

— 32-pin TSOP

— 32-pin PDIP

■ Flexible sector architecture

— Eight uniform sectors

■ Compatible with JEDEC standards

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

■ Sector protection

— Superior inadvertent write protection

— Hardware-based feature that disables/re-

enables program and erase operations in any

combination of sectors

■ Data# Polling and Toggle Bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection/unprotection can be

implemented using standard PROM

programming equipment

Publication# 16736 Rev: G Amendment/+3

Issue Date: July 1998

12 3 4 5 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与AM29F010-70FEB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F010-70FI	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70FIB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JC	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JCB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JE	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JEB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JI	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70JIB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70PC	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-70PCB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

与AM29F010-70FEB相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F010-70FEB

AM29F010-70FEB 技术参数

AM29F010-70FEB 数据手册

与AM29F010-70FEB相关器件

与AM29F010-70FEB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F010-70FEB

AM29F010-70FEB 技术参数

AM29F010-70FEB 数据手册

与AM29F010-70FEB相关器件

与AM29F010-70FEB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？