Datasheet > AM29F010-55JIB

AM29F010-55JIB

更新时间： 2024-10-31 23:04:19

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	349K
描述
1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F010-55JIB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.43	最长访问时间：	55 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

AM29F010-55JIB 数据手册

FINAL

Am29F010

1 Megabit (128 K x 8-bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Embedded Algorithms

— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program

— Embedded Erase algorithm automatically

pre-programs and erases the chip or any

combination of designated sector

operations

— Simplifies system-level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

programs and verifies data at specified address

■ High performance

— 45 ns maximum access time

■ Minimum 100,000 program/erase cycles

■ Low power consumption

guaranteed

— 30 mA max active read current

— 50 mA max program/erase current

— <25 µA typical standby current

■ Package options

— 32-pin PLCC

— 32-pin TSOP

— 32-pin PDIP

■ Flexible sector architecture

— Eight uniform sectors

■ Compatible with JEDEC standards

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

■ Sector protection

— Superior inadvertent write protection

— Hardware-based feature that disables/re-

enables program and erase operations in any

combination of sectors

■ Data# Polling and Toggle Bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection/unprotection can be

implemented using standard PROM

programming equipment

Publication# 16736 Rev: G Amendment/+2

Issue Date: March 1998

12 3 4 5 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与AM29F010-55JIB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F010-55PC	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PC5	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F010-55PC5B	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX8, 55ns, PDIP32
AM29F010-55PCB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE5	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F010-55PE5B	SPANSION	获取价格	EEPROM Card, 128KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDIP32, DIP-32
AM29F010-55PEB	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PI	AMD	获取价格	1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PI5	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM

与AM29F010-55JIB相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F010-55JIB

AM29F010-55JIB 技术参数

AM29F010-55JIB 数据手册

与AM29F010-55JIB相关器件

与AM29F010-55JIB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F010-55JIB

AM29F010-55JIB 技术参数

AM29F010-55JIB 数据手册

与AM29F010-55JIB相关器件

与AM29F010-55JIB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？