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AM29F010-55PC5B

更新时间： 2024-11-02 03:32:27
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 358K
描述
Flash, 128KX8, 55ns, PDIP32

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AM29F010-55PC5B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.84
最长访问时间：55 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
部门数/规模：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
部门规模：16K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

AM29F010-55PC5B 数据手册

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FINAL  
Am29F010  
1 Megabit (128 K x 8-bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Embedded Algorithms  
— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program  
— Embedded Erase algorithm automatically  
pre-programs and erases the chip or any  
combination of designated sector  
operations  
— Simplifies system-level power requirements  
— Embedded Program algorithm automatically  
programs and verifies data at specified address  
■ High performance  
— 45 ns maximum access time  
■ Minimum 100,000 program/erase cycles  
■ Low power consumption  
guaranteed  
— 30 mA max active read current  
— 50 mA max program/erase current  
— <25 µA typical standby current  
■ Package options  
— 32-pin PLCC  
— 32-pin TSOP  
— 32-pin PDIP  
■ Flexible sector architecture  
— Eight uniform sectors  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Any combination of sectors can be erased  
— Supports full chip erase  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
■ Sector protection  
— Superior inadvertent write protection  
— Hardware-based feature that disables/re-  
enables program and erase operations in any  
combination of sectors  
■ Data# Polling and Toggle Bits  
— Provides a software method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Sector protection/unprotection can be  
implemented using standard PROM  
programming equipment  
Publication# 16736 Rev: G Amendment/+3  
Issue Date: July 1998  
1234567...31

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与AM29F010-55PC5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F010-55PCB AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F010-55PE5 ETC

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 		x8 Flash EEPROM
AM29F010-55PE5B SPANSION

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 		EEPROM Card, 128KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDIP32, DIP-32
AM29F010-55PEB AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
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 		1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
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