5秒后页面跳转
AGR022N06S PDF预览

AGR022N06S

更新时间: 2024-11-10 18:07:03
品牌 Logo 应用领域
安邦 - ANBON /
页数 文件大小 规格书
5页 1038K
描述
TO-263AB

AGR022N06S 数据手册

 浏览型号AGR022N06S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR022N06S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR022N06S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR022N06S的Datasheet PDF文件第5页 
AGR022N06S  
N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Product Summary  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
ID  
60V  
2.2mΩ@10V  
200A  
Feature  
Application  
Excellent gate charge x RDS(on) product  
Very low on-resistance RDS(on)  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and  
synchronous rectification  
Package  
Circuit diagram  
TO-263AB  
Marking  
GR022N06  
XXXXX  
D
S
G
Document ID  
AS-3150426  
Issued Date  
2013/03/08  
Revised Date  
2023/05/18  
Revision  
B
Page.  
5
Page 1  

与AGR022N06S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AGR022N06S-Q1 ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR026N08S ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR027N10S ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR032N06S ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR032N06S-Q1 ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR064N15S ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR064N15S-Q1 ANBON

获取价格

TO-263AB
AGR09030E TRIQUINT

获取价格

30 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09030EF TRIQUINT

获取价格

30 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09030EU TRIQUINT

获取价格

30 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET