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AFT18HW355SR6

更新时间： 2024-10-26 21:11:23

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	473K
描述
Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V

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AFT18HW355SR6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.68
配置：	Single	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	125 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	子类别：	FET General Purpose Powers
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

AFT18HW355SR6 数据手册

Document Number: AFT18HW355S

Rev. 1, 1/2013

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power LDMOS Transistor

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed

for cellular base station applications requiring very wide instantaneous

bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

AFT18HW355SR6



Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: V_DD= 28 Volts,

I_DQA= 1100 mA, V_GSB= 1.45 Vdc, P_out= 63 Watts Avg., Input Signal

PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

1805--1880 MHz, 63 W AVG., 28 V



Output PAR ACPR

IRL

Frequency

1805 MHz

1840 MHz

1880 MHz

(dB)

14.8

15.3

15.2

(%)

48.1

48.9

48.3

(dB)

(dBc)

--27.2

--27.7

--29.2

(dB)

7.3

-- 1 3

-- 1 2

-- 9

7.4

7.5

Features



Advanced High Performance In--Package Doherty

Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications

Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C

Operation

NI--1230S--4



Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.

For R5 Tape and Reel option, see p. 15.

Carrier

RF /V

outA DSA

inA GSA

(1)

RF /V

inB GSB

RF /V

outB DSB

Peaking

(Top View)

Figure 1. Pin Connections

1. Pin connections 1 and 2 are DC coupled

and RF independent.

AFT18HW355SR6

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

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