是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | LFBGA, BGA90,9X15,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 105 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 90 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA90,9X15,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.4 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
A43E16321G-95UF | AMICC |
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Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP-90 | |
A43E1632G-75I | AMICC |
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1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM | |
A43E1632G-95I | AMICC |
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1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM | |
A43E1632V-75I | AMICC |
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1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM | |
A43E1632V-95I | AMICC |
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1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM | |
A43E26161 | AMICC |
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1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM | |
A43E26161AG-75F | AMICC |
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DRAM | |
A43E26161AG-75UF | AMICC |
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DRAM | |
A43E26161AG-95F | AMICC |
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DRAM | |
A43E26161AG-95UF | AMICC |
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DRAM |