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2SA2161J

更新时间： 2024-01-18 11:45:29

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89, 3 PIN

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2SA2161J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2161J 数据手册

Transistors

2SA2161J

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

+0.05

–0.03

Unit: mm

–0.01

1.60

+0.03

0.12

1.00 0.05

Complementary to 2SC6037J

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−15

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−12

1: Base

−5

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-89, JEDEC: SOT-490

SSMini3-F1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−500

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

125

°C

Marking Symbol: 2U

125

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−15

−12

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −15 V, I_E= 0

V_CE= −2 V, I_C= −10 mA

− 0.1

680

µA



h_FE

270

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −200 mA, I_B= −10 mA

−250

MHz

f_T

V_CB= −2 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

4.5

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2004

SJC00312BED

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2162	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SA2163	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X	获取价格
2SA2164	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification	获取价格
2SA2166	ISAHAYA	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SA2166_08	ISAHAYA	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SA2166_10	ISAHAYA	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格

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