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23K256T-E/ST

更新时间： 2024-09-17 07:35:03

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
28页	542K
描述
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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23K256T-E/ST 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	16 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000004 A
最小待机电流：	2.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

23K256T-E/ST 数据手册

23A256/23K256

256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

23K256

23A256

2.7-3.6V

32 Byte

I, E

P, SN, ST

1.5-1.95V

Features:

Description:

• Max. Clock 20 MHz

The Microchip Technology Inc. 23X256 are 256 Kbit

Serial SRAM devices. The memory is accessed via a

simple Serial Peripheral Interface (SPI) compatible

serial bus. The bus signals required are a clock input

(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)

lines. Access to the device is controlled through a Chip

Select (CS) input.

• Low-Power CMOS Technology:

- Read Current: 3 mA at 1 MHz

- Standby Current: 4 A Max. at +85°C

• 32,768 x 8-bit Organization

• 32-Byte Page

• HOLD pin

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused,

transitions on its inputs will be ignored, with the

exception of Chip Select, allowing the host to service

higher priority interrupts.

• Flexible Operating modes:

- Byte read and write

- Page mode (32 Byte Page)

- Sequential mode

The 23X256 is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced

packaging including 8-lead TSSOP.

• Sequential Read/Write

• High Reliability

• Temperature Ranges Supported:

- Industrial (I):

-40C to +85C

-40C to +125C

Package Types (not to scale)

- Automotive (E):

• Pb-Free and RoHS Compliant, Halogen Free

Pin Function Table

Name

Function

PDIP/SOIC/TSSOP

(P, SN, ST)

VSS

Chip Select Input

Serial Data Output

Ground

VCC

Serial Data Input

Serial Clock Input

Hold Input

HOLD

SCK

HOLD

VCC

Supply Voltage

 2010 Microchip Technology Inc.

DS22100E-page 1

12 3 4 5 6 7...28

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23K256T-E/ST 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
23K256-E/ST	MICROCHIP	完全替代	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K256-E/SN	MICROCHIP	完全替代	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

与23K256T-E/ST相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
23K256T-I/P	MICROCHIP	获取价格	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K256T-I/SN	MICROCHIP	获取价格	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K256T-I/SN/ST	MICROCHIP	获取价格	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K256T-I/ST	MICROCHIP	获取价格	256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K256T-IPT-I/P	MICROCHIP	获取价格	32K X 8 STANDARD SRAM, PDIP8, 0.300 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
23K256T-ISNT-I/SN	MICROCHIP	获取价格	32K X 8 STANDARD SRAM, PDSO8, 3.90 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
23K256T-ISTT-I/ST	MICROCHIP	获取价格	32K X 8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8
23K640	MICROCHIP	获取价格	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K640-E/P	MICROCHIP	获取价格	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K640-E/SN	MICROCHIP	获取价格	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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