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IRF3707ZLPBF

更新时间： 2024-01-06 04:48:34

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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12页	277K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF3707ZLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3707ZLPBF 数据手册

PD - 95333

IRF3707ZPbF

IRF3707ZSPbF

IRF3707ZLPbF

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l Lead-Free

V_DSSR_DS(on)max

9.5m

30V

9.7nC

Benefits

l Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

IRF3707ZS

TO-262

IRF3707ZL

TO-220AB

IRF3707Z

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

± 20

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

230

@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

@T_C= 100°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.38

W/°C

°C

-55 to + 175

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case)

10 lbf in (1.1 N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

2.653

–––

Units

R_θ

°C/W

Junction-to-Case

R_θ

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Notes through are on page 12

www.irf.com

05/28/04

12 3 4 5 6 7...12

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