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NESG2046M33-A

更新时间： 2024-02-26 12:43:22

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管光电二极管 ISM频段放大器
页数	文件大小	规格书
4页	289K
描述
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION

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NESG2046M33-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	基于收集器的最大容量：	0.4 pF
集电极-发射极最大电压：	5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	18000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG2046M33-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NEC's NPN SiGe TRANSISTOR

FOR LOW NOISE, HIGH -GAINAMPLIFICATION

NESG2046M33

FEATURES

•

IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS:

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY

FOR SIGE TRANSISTORS :

VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

•

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NESG2046M33-A

QUANTITY

SUPPLYING FORM

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

NESG2046M33-T3-A

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales ofﬁce.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =+25ºC)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATINGS

UNIT

1.5

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

130

150

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

California Eastern Laboratories

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NESG2046M33FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
NESG2046M33FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
NESG2046M33FB-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
NESG2046M33FB-T3-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
NESG2046M33-T3	RENESAS	获取价格	RF POWER AMP TRANSISTOR, FT > 300 MHZ,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR
NESG2046M33-T3-A	CEL	获取价格	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG2046M33-T3-A	NEC	获取价格	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG2101M05	NEC	获取价格	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
NESG2101M05	CEL	获取价格	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NESG2101M05	RENESAS	获取价格	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

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