5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.04 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 5 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 18000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NESG2046M33-T3-A | CEL |
获取价格 |
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION |
|
| NESG2046M33-T3-A | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION |
|
| NESG2101M05 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR |
|
| NESG2101M05 | CEL |
获取价格 |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NESG2101M05 | RENESAS |
获取价格 |
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW |
|
| NESG2101M05-A | RENESAS |
获取价格 |
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW |
|
| NESG2101M05-A-FB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| NESG2101M05-A-YFB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| NESG2101M05-FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, |
|
| NESG2101M05-FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
