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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 5 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 17000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NESG2101M05-T1-A | CEL |
获取价格 |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NESG2101M05-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW |
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| NESG2101M05-T1-A-FB | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| NESG2101M05-T1-A-YFB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| NESG2101M05-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| NESG2101M05-T1FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| NESG2101M16 | CEL |
获取价格 |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NESG2101M16 | NEC |
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NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR |
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| NESG2101M16_1 | NEC |
获取价格 |
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINI |
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| NESG2101M16-A | NEC |
获取价格 |
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINI |
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