8ETH03SPBF

更新时间： 2024-09-18 06:33:39

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Hyperfast Rectifier, 8 A FRED PtTM

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8ETH03SPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.47	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	HFRHP	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30

8ETH03SPBF 数据手册

8ETH03SPbF/8ETH03-1PbF

Vishay High Power Products

Hyperfast Rectifier,

8 A FRED Pt^TM

FEATURES

8ETH03-1PbF

• Hyperfast recovery time

8ETH03SPbF

Available

• Low forward voltage drop

RoHS*

• Low leakage current

COMPLIANT

• 175 °C operating junction temperature

• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)

• Designed and qualified for Q101 level

Base

cathode

DESCRIPTION/APPLICATIONS

300 V series are the state of the art hyperfast recovery

rectifiers designed with optimized performance of forward

voltage drop and hyperfast recovery time.

The planar structure and the platinum doped life time control

guarantee the best overall performance, ruggedness and

reliability characteristics.

N/C

Anode

N/C

Anode

D²PAK

TO-262

These devices are intended for use in the output rectification

stage of SMPS, UPS, dc-to-dc converters as well as

freewheeling diodes in low voltage inverters and chopper

motor drives.

Their extremely optimized stored charge and low recovery

current minimize the switching losses and reduce over

dissipation in the switching element and snubbers.

PRODUCT SUMMARY

t_rr

I_F(AV)

V_R

35 ns

8 A

300 V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

TEST CONDITIONS

MAX.

300

UNITS

Repetitive peak reverse voltage

Average rectified forward current

Non-repetitive peak surge current

Operating junction and storage temperatures

I_F(AV)

T_C= 155 °C

T_C= 25 °C

I_FSM

100

T_J, T_Stg

- 65 to 175

°C

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T_J= 25 °C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Breakdown voltage,

blocking voltage

V_BR

V_R

I_R= 100 µA

I_F= 8 A

300

1.0

0.83

0.02

6.0

1.25

1.00

200

Forward voltage

V_F

I_R

I_F= 8 A, T_J= 125 °C

V_R= V_Rrated

Reverse leakage current

µA

T_J= 125 °C, V_R= V_Rrated

V_R= 300 V

Junction capacitance

Series inductance

C_T

L_S

Measured lead to lead 5 mm from package body

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94025

Revision: 21-May-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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