82RIA120

更新时间： 2024-11-12 12:53:27

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威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
8页	159K
描述
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A

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82RIA120 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	120 mA
JEDEC-95代码：	TO-208AD	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	125 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

82RIA120 数据手册

80RIA...PbF, 81RIA...PbF, 82RIA...PbF Series

Vishay Semiconductors

Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A

FEATURES

• Hermetic glass-metal seal

• International standard case TO-209AC (TO-94)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

TYPICAL APPLICATIONS

• DC motor controls

TO-209AC (TO-94)

• Controlled DC power supplies

• AC controllers

PRODUCT SUMMARY

I_T(AV)

80 A

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

I_T(AV)

T_C

°C

I_T(RMS)

125

50 Hz

60 Hz

50 Hz

60 Hz

1900

I_TSM

1990

I²t

kA²s

_DRM/V_RRM

400 to 1200

110

t_q

Typical

μs

°C

T_J

- 40 to 125

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

VOLTAGE RATINGS

V_DRM/V_RRM, MAXIMUM

REPETITIVE PEAK AND

OFF-STATE VOLTAGE

_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE I_DRM/I_RRMMAXIMUM

VOLTAGE

TYPE NUMBER

PEAK VOLTAGE

AT T_J= 125 °C

CODE

400

800

500

900

80RIA

81RIA

120

1200

1300

Document Number: 94392

Revision: 17-Sep-10

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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82RIA20M	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem
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82RIA40	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 400 V, SCR, TO-208AD
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