5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.19 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 120 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AD |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 125 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 82RIA80M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elem |
|
| 82RIA80MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 82RIA80PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 82RKI10 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
|
| 82RKI100 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
|
| 82RKI100M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
|
| 82RKI100PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| 82RKI10M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
|
| 82RKI120 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
|
| 82RKI120M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
