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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.21 |
| 标称电路换相断开时间： | 350000000 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 120 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 150 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-208AD | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 最大漏电流： | 15 mA | 通态非重复峰值电流： | 1700 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 80000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 125 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 82RIA10M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 82RIA120 | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 82RIA120MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 82RIA120PBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 82RIA20M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| 82RIA40 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 70000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
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| 82RIA40 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 400 V, SCR, TO-208AD |
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| 82RIA40M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
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| 82RIA40MPBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 82RIA40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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