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8102403VA

更新时间： 2024-01-06 00:09:34

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瑞萨 - RENESAS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	92K
描述
4KX1 STANDARD SRAM, 220ns, CDIP18

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8102403VA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP18,.3
针数：	18	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	220 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-GDIP-T18	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	18
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4KX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP18,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.000025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.007 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

8102403VA 数据手册

HM-6504

Timing Waveforms (Continued)

(7)

(8)

(7)

TAVEL TELAX

TAVEL

NEXT ADD

ADD VALID

(18) TELEL

(5) TELEH

(6)

TEHEL

(6) TEHEL

(11)

TWLEL

(11)

(13)

TWLEL TELWH

(15)

(17)

(15)

TDVEL TELDX

TDVEL

DATA VALID

NEXT DATA

HIGH-Z

TIME

REFERENCE

-1

FIGURE 12. EARLY WRITE CYCLE

TRUTH TABLE

INPUTS

OUTPUT

TIME REFERENCE

FUNCTION

-1

Memory Disabled

Cycle Begins, Addresses are Latched

Write in Progress Internally

Write Completed

Prepare for Next Cycle (Same as - 1)

Cycle Ends, Next Cycle Begins (Same as 0)

The early write cycle is the only cycle where the output is

guaranteed not to become active. On the falling edge of E

(T = 0), the addresses, the write signal, and the data input

are latched in on-chip registers. The logic value of W at the

time E falls, determines the state of the output buffer for that

cycle. Since W is low when E falls, the output buffer is

latched into the high impedance state and will remain in that

131

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