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74LVC1G08GN

更新时间： 2024-02-29 15:36:38
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
19页 354K
描述
Single 2-input AND gate

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74LVC1G08GN 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.28系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-G5长度：2.05 mm
逻辑集成电路类型：AND GATE功能数量：1
输入次数：2端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：10.5 ns
座面最大高度：1.1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.25 mm

74LVC1G08GN 数据手册

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74LVC1G08  
NXP Semiconductors  
Single 2-input AND gate  
Table 7.  
Static characteristics …continued  
At recommended operating conditions. Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
40 C to +85 C  
40 C to +125 C  
Unit  
Min  
Typ[1]  
Max  
Min  
Max  
IOFF  
power-off  
leakage  
current  
VCC = 0 V; VI or VO = 5.5 V  
-
0.1  
10  
-
200  
A  
ICC  
ICC  
CI  
supply current VI = 5.5 V or GND; IO = 0 A;  
VCC = 1.65 V to 5.5 V  
-
-
-
0.1  
5
10  
500  
-
-
-
-
200  
5000  
-
A  
A  
pF  
additional  
per pin; VCC = 2.3 V to 5.5 V;  
supply current VI = VCC 0.6 V; IO = 0 A  
input  
VCC = 3.3 V; VI = GND to VCC  
5
capacitance  
[1] All typical values are measured at VCC = 3.3 V and Tamb = 25 C.  
11. Dynamic characteristics  
Table 8.  
Dynamic characteristics  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V); for load circuit see Figure 9.  
Symbol Parameter Conditions 40 C to +85 C  
40 C to +125 C Unit  
Min  
Typ[1]  
Max  
Min  
Max  
[2]  
tpd  
propagation delay A, B to Y; see Figure 8  
VCC = 1.65 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
-
3.4  
2.2  
2.5  
2.1  
1.7  
16  
8.0  
5.5  
5.5  
4.5  
4.0  
-
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
-
10.5  
7.0  
7.0  
6.0  
5.5  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
pF  
VCC = 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
[3]  
CPD  
power dissipation VI = GND to VCC; VCC = 3.3 V  
capacitance  
[1] Typical values are measured at Tamb = 25 C and VCC = 1.8 V, 2.5 V, 2.7 V, 3.3 V and 5.0 V respectively.  
[2] pd is the same as tPLZ and tPZL  
t
.
[3] CPD is used to determine the dynamic power dissipation (PD in W).  
PD = CPD VCC2 fi N + (CL VCC2 fo) where:  
fi = input frequency in MHz;  
fo = output frequency in MHz;  
CL = output load capacitance in pF;  
VCC = supply voltage in V;  
N = number of inputs switching;  
(CL VCC2 fo) = sum of outputs.  
74LVC1G08  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 10 — 29 June 2012  
6 of 19  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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