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74AUP1G07GW,125 PDF预览

74AUP1G07GW,125

更新时间： 2024-02-04 23:58:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP PC光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 340K
描述
74AUP1G07 - Low-power buffer with open-drain output TSSOP 5-Pin

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74AUP1G07GW,125 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.35
Is Samacsys：N系列：AUP/ULP/V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3
长度：2 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：BUFFER最大I（ol）：0.0017 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：20.7 ns
传播延迟（tpd）：20.7 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.8 V标称供电电压 (Vsup)：1.1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

74AUP1G07GW,125 数据手册

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74AUP1G07  
NXP Semiconductors  
Low-power buffer with open-drain output  
Table 7.  
Static characteristics …continued  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
LOW-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = 20 A; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VOL  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
V
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
0.3 VCC  
0.37  
0.35  
0.33  
0.45  
0.33  
0.45  
0.5  
0.5  
V
V
V
V
V
V
V
II  
input leakage current  
A  
A  
IOZ  
OFF-state output current  
VI = VIH; VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
to 3.6 V  
IOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
-
-
-
-
0.5  
0.6  
A  
A  
IOFF  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
VCC = 0 V to 0.2 V  
ICC  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
VCC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
-
-
0.9  
50  
A  
A  
ICC  
additional supply current  
VI = VCC 0.6 V; IO = 0 A; VCC = 3.3 V  
Tamb = 40 C to +125 C  
VIH HIGH-level input voltage  
VCC = 0.8 V  
0.75 VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 0.8 V  
0.70 VCC  
-
1.6  
-
2.0  
-
VIL  
LOW-level input voltage  
-
-
-
-
0.25 VCC  
0.30 VCC  
0.7  
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
0.9  
VOL  
LOW-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = 20 A; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.11  
V
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
0.33 VCC  
0.41  
V
V
0.39  
V
0.36  
V
0.50  
V
0.36  
V
0.50  
V
II  
input leakage current  
0.75  
0.75  
A  
A  
IOZ  
OFF-state output current  
VI = VIH; VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
to 3.6 V  
IOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
-
-
0.75  
A  
74AUP1G07  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 7 — 16 July 2012  
6 of 19  
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