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71V67603S150PFI8

更新时间： 2024-11-19 14:40:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 512K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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71V67603S150PFI8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.13最长访问时间：3.8 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：150 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.07 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.325 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

71V67603S150PFI8 数据手册

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256K X 36, 512K X 18  
3.3VSynchronousSRAMs  
3.3V I/O, Burst Counter  
IDT71V67603  
IDT71V67803  
PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect  
Features  
256K x 36/512K x 18. The IDT71V67603/7803 SRAMs contain write,  
data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to  
generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil  
theendofthewritecycle.  
◆
256K x 36, 512K x 18 memory configurations  
◆
Supports high system speed:  
– 166MHz 3.5ns clock access time  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V67603/7803canprovidefourcyclesof  
dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
andthe LBOinputpin.  
◆
◆
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
3.3V I/O supply (VDDQ)  
◆
◆
◆
◆
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad  
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch  
ball grid array (fBGA).  
The IDT71V67603/7803 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm100-  
pin thinplasticquadflatpack(TQFP), a119ballgridarray(BGA) and a 165  
fine pitchballgridarray(fBGA).  
Description  
The IDT71V67603/7803 are high-speed SRAMs organized as  
PinDescriptionSummary  
A0-A18  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS0, CS1  
OE  
Chip Selects  
Output Enable  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
(1)  
BW1, BW2, BW3, BW4  
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4  
VDD, VDDQ  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
Supply  
Supply  
VSS  
N/A  
5310 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.  
APRIL 2003  
1
©2002IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5310/05  
1234567...23

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与71V67603S150PFI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71V67603S166BG IDT

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 		Standard SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119
71V67603S166PF8 IDT

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 		Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
71V67603S166PFG8 IDT

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 		TQFP-100, Reel
71V67603Z133BGGI IDT

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 		Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
71V67702S75PF9 IDT

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 		TQFP-100, Tray
71V67702S80PF9 IDT

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 		TQFP-100, Tray
71V67703 RENESAS

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 		3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM
71V6770375BGG IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6770375BGG8 IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6770375BGGI IDT

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