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71V546XS117PFG

更新时间： 2024-01-09 21:13:51

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艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	164K
描述
3.3V Synchronous SRAM

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71V546XS117PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
最长访问时间：	4.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	117 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.275 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

71V546XS117PFG 数据手册

IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with

ZBT™ Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Device Operation - Showing Mixed Load,

Burst, Deselect and NOOP Cycles⁽²⁾

(1)

CEN

BWx

Cycle

Address

R/W

ADV/LD

I/O

Comments

Load read

Burst read

Load read

n+1

n+2

n+3

Q0+1 Deselect or STOP

n+4

Q1 NOOP

n+5

Load read

n+6

Burst read

n+7

Deselect or STOP

n+8

Q2+1 Load write

n+9

Burst write

Load write

n+10

n+11

n+12

n+13

n+14

n+15

n+16

n+17

n+18

n+19

D3+1 Deselect or STOP

NOOP

Load write

Load read

Load write

Burst write

Load read

D7+1 Burst read

Q8 Load write

3821 tbl 11

NOTES:

1. CE = L is defined as CE1 = L, CE2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE1 = H, CE2 = H or CE2 = L.

2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.

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