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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V424S10PHI8 | IDT |
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Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V424S10YG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10YG8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10YGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10YGI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHG8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHGI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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