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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ36,.44 | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 1.31 |
| Samacsys Description： | SOIC 400 MIL J-BEND | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J36 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 23.5 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ36,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 71V424S10YG8 | IDT |
完全替代  |
3.3V CMOS Static RAM |
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| IDT71V424S10YG | IDT |
功能相似 |
3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V424S10YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10YGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10YGI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHG8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12PHGI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12YG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12YG8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S12YGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM |
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