是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA-119 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.43 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3.3 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 183 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.36 mm | 最大待机电流: | 0.035 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V25761YSA183BQ8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165 | |
71V25761YSA183BQI | IDT |
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Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
71V25761YSA200BG | IDT |
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Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
71V25761YSA200BG8 | IDT |
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Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
71V25761YSA200BQ | IDT |
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Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
71V25761YSA200BQ8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165 | |
71V2576S133BG8 | IDT |
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PBGA-119, Reel | |
71V2576S133BGI8 | IDT |
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PBGA-119, Reel | |
71V2576S133PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
71V2576S133PF9 | IDT |
获取价格 |
TQFP-100, Tray |