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7188L20P

更新时间: 2024-09-16 20:58:31
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 363K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

7188L20P 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:22字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.115 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

7188L20P 数据手册

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