是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, DIP22,.3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T22 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 22 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP22,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7188L20SO | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24 | |
7188L20Y | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24 | |
7188L25C | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, 0.300 INCH, SIDEBRAZED, DIP-22 | |
7188L25D | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22 | |
7188L25E | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDFP24 | |
7188L25EB | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-24 | |
7188L25F | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDFP24, FP-24 | |
7188L25FB | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDFP24 | |
7188L25P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 | |
7188L25Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24 |