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7188L25E

更新时间: 2024-01-09 16:48:38
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 566K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDFP24

7188L25E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:24字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.105 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:6
Base Number Matches:1

7188L25E 数据手册

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