是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 144 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA144,13X13,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.006 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.245 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V27WS25BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 | |
70V27WS35BF | IDT |
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Application Specific SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PBGA144 | |
70V27WS35BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 | |
70V27WS35PFG | IDT |
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Application Specific SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100 | |
70V27WS35PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
70V27WS55PF | IDT |
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Application Specific SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, PQFP100 | |
70V28 | RENESAS |
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64K x 16 3.3V Dual-Port RAM | |
70V28L15PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V28L15PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V28L15PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |