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70V27WS35BFG

更新时间： 2024-11-08 20:46:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 178K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144

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70V27WS35BFG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144针数：144
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.68
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B144JESD-609代码：e3
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：2端子数量：144
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA144,13X13,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.006 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.235 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

70V27WS35BFG 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
32K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V27S/L  
Features:  
◆
◆
IDT70V27 easily expands data bus width to 32 bits or more  
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)  
– Industrial:20/35ns (max.)  
Low-power operation  
◆
◆
◆
◆
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
– IDT70V27S  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Available in 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP), and 144-  
pin Fine Pitch BGA (fpBGA)  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Green parts available, see ordering information  
Active:500mW(typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
– IDT70V27L  
◆
◆
◆
Active:500mW(typ.)  
Standby:660µW(typ.)  
Separate upper-byte and lower-byte control for bus  
◆
◆
◆
matching capability  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
◆
external logic  
FunctionalBlockDiagram  
R/W  
L
R/WR  
UB  
L
UB  
R
CE0L  
CE0R  
CE1L  
CE1R  
OE  
R
OE  
L
L
LB  
R
LB  
I/O8-15L  
I/O0-7L  
I/O8-15R  
I/O0-7R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
,
(1,2)  
(1,2)  
BUSY  
L
BUSY  
R
32Kx16  
A
14R  
0R  
A
14L  
0L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
70V27  
A
A
A
14L  
A
A
CE0R  
14R  
0R  
A
CE0L  
0L  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE1L  
CE1R  
OE  
OE  
L
R
R/  
WL  
R/WR  
L
L
SEM  
INT  
SEM  
R
(2)  
(2)  
INT  
R
M/S(2)  
NOTES:  
3603 drw 01  
1) BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output as a Master (M/S=VIH).  
2) BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
OCTOBER 2008  
6.01  
1
DSC3603/11  
©2008IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...21

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与70V27WS35BFG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70V27WS35PFG IDT

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 		Application Specific SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100
70V27WS35PFGI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
70V27WS55PF IDT

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 		Application Specific SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, PQFP100
70V28 RENESAS

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 		64K x 16 3.3V Dual-Port RAM
70V28L15PFG IDT

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