是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 29.3116 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.572 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.19 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.3116 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V25S25JGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
70V25S25PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
70V25S25PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V25S25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V25S25PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S25PFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V25S35GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
70V25S35GG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S35J | IDT |
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PLCC-84, Tube | |
70V25S35JGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |