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70P246L55BYGI

更新时间： 2024-02-01 20:27:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	166K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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70P246L55BYGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

70P246L55BYGI 数据手册

IDT70P256/246L

Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Preliminary

Industrial Temperature Range

DC Electrical Characteristics Over the Operating

Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ± 100mV)

Symbol

Parameter

Min.

___

Max.

Unit

Test Conditions

DD = 1.8V, VIN = 0V to

CE = V^IH, VOUT = 0V to

OLL = +2mA

OHL = -2mA

OLL = +2mA

OHL = -2mA

Input Leakage Current

µA

VDD

___

Output Leakage Current

VDD

___

Output Low Voltage (VDDQX = 3.0V)

Output High Voltage (VDDQX = 3.0V)

Output Low Voltage (VDDQX = 2.5V)

Output High Voltage (VDDQX = 2.5V)

0.4

___

2.1

___

0.4

___

2.0

5699 tbl 08

DC Electrical Characteristics Over the Operating

Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ±100mV)

70P256/246

Ind'l Only

Symbol

Parameter

Test Condition

Version

IND'L

Typ.⁽¹⁾

Max.

Unit

IDD

Dynamic Operating Current

(Both Ports Active)

CE = V^IL, Outputs Open

(2)

f = f^MAX

ISB1

Standby Current (Both Ports

Inactive)

µA

and CE

= VIH, SEMR = SEML =

VIH

IND'L

(2)

f = fMAX

(3)

ISB2

Standby Current (One Port

Inactive, One Port Active)

8.5

CE"

" = VIL and CE"B" = VIH , Active Port Outputs Open

(2)

f = f^MAX

ISB3

Full Standby Current (Both

Ports Inactive - CMOS Level SEM

Both Ports CE

and CE

R > VDDQ - 0.2V,

R > VDDQ - 0.2V, VIN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V

IND'L

and SEM

Inputs)

f = 0

(4)

ISB4

Standby Current (One Port

Inactive, One Port Active -

CMOS Level Inputs)

8.5

CE^"A"< 0.2V and CE"B" > VDDQ - 0.2V

IN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V, Active Port Outputs Open

(2)

f = f^MAX

5699 tbl 09

NOTES:

1. V^DD= 1.8V, TA = +25°C, and are not production tested. IDD DC = 15mA (typ.)

2. At f = fMAX, address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions”.

3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".

6.42

1...3 4 567 8 9...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P246L55BYGI8	IDT	SRAM	获取价格
70P246L55BYI	IDT	SRAM	获取价格
70P246L55BYI8	IDT	SRAM	获取价格
70P247L55BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P247L55BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P247L55BYI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, BGA-100	获取价格

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