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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA100,10X10,20 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.53 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | IT CAN OPERATE ALSO 2.5 TO 3 VOLT |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA100,10X10,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8/3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000008 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70P245L90BYGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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| 70P245L90BYI | IDT | Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
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| 70P246L55BYGI | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B |
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| 70P246L55BYGI8 | IDT | SRAM |
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| 70P246L55BYI | IDT | SRAM |
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| 70P246L55BYI8 | IDT | SRAM |
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