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70C120BE3

更新时间: 2024-11-26 14:40:07
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

70C120BE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流:110 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

70C120BE3 数据手册

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