是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-83 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
标称电路换相断开时间: | 100 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 100 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 200 mA |
JEDEC-95代码: | TO-208AD | JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 110 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10000 µA |
断态重复峰值电压: | 1200 V | 重复峰值反向电压: | 1200 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70C120BFE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A | |
70C120BFIL | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PI | |
70C120BIL | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI | |
70C120BILE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI | |
70C140F004 | ETC |
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Peripheral IC | |
70C-3A | COOPER |
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Electric Fuse, 3A, 125VAC, 300VDC, 1000A (IR), Inline/holder, | |
70C50B | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier | |
70C50BE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 500V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | |
70C50BF | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier | |
70C50BFIL | MICROSEMI |
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暂无描述 |