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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 标称电路换相断开时间： | 100 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 200 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10000 µA | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70C80BE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| 70C80BF | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier |
|
| 70C80BFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
|
| 70C80BFIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN |
|
| 70C80BIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 70C80BILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 70CD | NELLSEMI |
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Automotive Cell Diodes, 70A |
|
| 70CIL14B | ETC |
获取价格 |
Fuse |
|
| 70CJ | COOPER |
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Fast-Acting Ceramic Body, Class J |
|
| 70CJB | ETC |
获取价格 |
Fuse |
|
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