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70C80B

更新时间: 2024-11-25 22:21:51
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美高森美 - MICROSEMI 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
Silicon Controlled Rectifier

70C80B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.83标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:110 A
重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

70C80B 数据手册

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