5秒后页面跳转
70C60B PDF预览

70C60B

更新时间: 2024-10-28 22:07:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
Silicon Controlled Rectifier

70C60B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92Is Samacsys:N
标称电路换相断开时间:100 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:110 A重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

70C60B 数据手册

 浏览型号70C60B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号70C60B的Datasheet PDF文件第3页 

70C60B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5572 NTE

功能相似

Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

与70C60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70C60BF MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
70C60BFE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
70C60BFIL MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
70C60BFILE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
70C60BIL MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN
70C80B MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
70C80BE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,
70C80BF MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
70C80BFE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
70C80BFIL MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN