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70C60B

更新时间: 2024-11-25 22:07:07
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
Silicon Controlled Rectifier

70C60B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92Is Samacsys:N
标称电路换相断开时间:100 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:110 A重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

70C60B 数据手册

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