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Datasheet > 暂无类别数据> 6MBI25S-120L

6MBI25S-120L PDF预览

6MBI25S-120L

更新时间： 2024-02-08 19:45:18

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	91K
描述
IGBT(1200V/6x25A)

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6MBI25S-120L 数据手册

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6-Pack IGBT

1200V

6MBI 25S-120L

6x25A

IGBT MODULE ( S-Series )

n Outline Drawing

n Features

• NPT-Technologie

• Solderable Package

• Square SC SOA at 10 x I_C

• High Short Circuit Withstand-Capability

• Small Temperature Dependence of the Turn-Off

Switching Loss

• Low Losses And Soft Switching

n Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

n Maximum Ratings and Characteristics

n Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

Symbols

Ratings

1200

Units

V

V

V_CES

V_GES

±

20

Continuous

1ms

Continuous

1ms

I_C

35 / 25

70 / 50

35 / 25

70 / 50

200

+150

-40 ^~+125

2500

Collector

Current (25°C / 80°C)

I_{C PULSE}

-I_C

-I_{C PULSE}

P_C

T_j

T_stg

V_is

A

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

W

°C

°C

V

A.C. 1min.

Screw Torque

Mounting *1

3.5

Nm

~

Note: *1:Recommendable Value; 2.5 3.5 Nm (M5)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Input capacitance

Symbols

I_CES

I_GES

V_GE(th)

V_CE(sat)

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r

t_OFF

t_f

V_F

t_rr

Test Conditions

V_GE=0V V_CE=1200V

Min.

Typ.

Max.

1.0

200

9.0

Units

mA

µA

V

±

=

V_CE=0V V_GE

20V

V_GE=20V I_C=25mA

V_GE=15V I_C=25A

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

6.0

2.1

3300

V

Output capacitance

Reverse Transfer capacitance

pF

V_CC=600V

I_C=25A

0.60

0.40

0.45

0.10

1.2

0.6

1.0

0.3

3.3

350

Turn-on Time

Turn-off Time

µs

±

=

V_GE

15V

R_G=51^W

I_F=25A V_GE=0V

I_F=25A

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

V

ns

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.62

1.00

Units

IGBT

Diode

With Thermal Compound

Thermal Resistance

°C/W

R_th(c-f)

0.05

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
6MBI30-060	FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES	获取价格
6MBI300U-120	ETC	IGBT Module U-Series	获取价格
6MBI300U-170	ETC	IGBTs	获取价格
6MBI300U4-120	FUJI	IGBT MODULE	获取价格
6MBI300U4-170	FUJI	IGBT MODULE	获取价格
6MBI300V-060V	FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE PACKAGE-	获取价格

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