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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 6MBI35S-140
6MBI35S-140 PDF预览

6MBI35S-140

更新时间： 2024-02-02 07:28:06
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 372K
描述
1400V / 35A 6 in one-package

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6MBI35S-140 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数：17
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：1400 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X17
元件数量：6端子数量：17
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：530 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
Base Number Matches：1

6MBI35S-140 数据手册

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IGBT Modules  
6MBI35S-140  
IGBT MODULE ( S series)  
1400V / 35A 6 in one-package  
Features  
· Compact Package  
· P.C.Board Mount Module  
· Low VCE(sat)  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Unit  
V
Rating  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous Tj=25°C  
Equivalent Circuit Schematic  
1400  
V
±20  
13(P)  
A
50  
current  
Tj=75°C  
Tj=25°C  
Tj=75°C  
35  
1ms  
IC pulse  
A
5(Gv)  
6(Ev)  
9(Gw)  
100  
1(Gu)  
10(Ew)  
2(Eu)  
70  
-IC  
A
35  
15(V)  
16(U)  
14(W)  
1ms  
-IC pulse  
A
70  
240  
7(Gy)  
8(Ey)  
11(Gz)  
12(Ez)  
3(Gx)  
4(Ex)  
Max. power dissipation (1 device)  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage *1  
PC  
W
°C  
°C  
V
Tj  
+150  
17(N)  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Vis  
Screw torque  
Mounting *2  
N·m  
*1:All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
*2: Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
0.2  
8.5  
2.75  
–
ICES  
–
–
–
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
VGE=0V, VCE=1400V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=35mA  
Tj=25°C VGE=15V, IC=35A  
Tj=125°C  
mA  
µA  
V
IGES  
–
5.5  
–
VGE(th)  
VCE(sat)  
7.2  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
2.4  
3.0  
V
–
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
tr  
–
4200  
875  
770  
0.35  
0.25  
0.1  
–
Input capacitance  
VGE=0V  
pF  
µs  
–
–
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
VCE=10V  
–
–
f=1MHz  
–
1.2  
0.6  
–
VCC=800V  
–
IC=35A  
tr(i)  
toff  
tf  
–
VGE=±15V  
–
0.45  
0.08  
2.6  
1.0  
0.3  
3.4  
–
Turn-off time  
RG=33Ω  
–
VF  
–
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
IF=35A  
IF=35A, VGE=0V  
V
–
2.2  
trr  
–
–
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.52  
0.90  
–
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*2  
IGBT  
FWD  
–
–
–
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
–
–
the base to cooling fin  
0.05  
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
6MBI35S-I20 FUJI Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN

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