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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
| 针数： | 17 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X17 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 17 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 800 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MWI30-06A7 | IXYS |
功能相似  |
IGBT Modules |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI30FA060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
|
| 6MBI30FA-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, M603, 11 PIN |
|
| 6MBI30L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V/30A) |
|
| 6MBI30S-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| 6MBI35PC-120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| 6MBI35PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| 6MBI35S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/35A) |
|
| 6MBI35S-120L | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/6x35A) |
|
| 6MBI35S-140 | FUJI |
获取价格 |
1400V / 35A 6 in one-package |
|
| 6MBI35S-I20 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN |
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